參數(shù)資料
型號： APTGT400A60D3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, D3, 11 PIN
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 210K
代理商： APTGT400A60D3G
APTGT400A60D3G
APT
G
T
400A60D3
G
–
Rev
0
Septem
ber
,2008
www.microsemi.com
1- 5
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
600
V
TC = 25°C
500
IC
Continuous Collector Current
TC = 80°C
400
ICM
Pulsed Collector Current
TC = 25°C
800
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
TC = 25°C
1250
W
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area
Tj = 125°C
800A @ 520V
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.
See application note APT0502 on www.microsemi.com
2
1
3
5
Q2
7
6
Q1
4
VCES = 600V
IC = 400A @ Tc = 80°C
Application
Welding converters
Switched Mode Power Supplies
Uninterruptible Power Supplies
Motor control
Features
Trench + Field Stop IGBT Technology
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 20 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
RBSOA and SCSOA rated
Kelvin emitter for easy drive
High level of integration
M6 power connectors
Benefits
Stable temperature behavior
Very rugged
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
RoHS Compliant
Phase leg
Trench + Field Stop IGBT
Power Module
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT400DA120D3G IGBT
APTGT400U120D4 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT400U120D4 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT400U170D4G 800 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT450A60 550 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT400A60D3G_11 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Phase leg Trench + Field Stop IGBT3 Power Module
APTGT400DA120D3G 功能描述:IGBT 1200V 580A 2100W D3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT400DA120G 功能描述:IGBT 1200V 560A 1785W SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT400DA60D3G 功能描述:IGBT 600V 500A 1250W D3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT400DA60D3G_11 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Boost chopper Trench + Field Stop IGBT3 Power Module
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*