參數(shù)資料
型號： APTGT35H120T3
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-25
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 293K
代理商： APTGT35H120T3
APTGT35H120T3
A
P
T
G
T
35
H
120T
3–
R
ev
0
S
ept
em
be
r,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
4 - 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
0.511.5
2
2.533.5
VCE (V)
I C
(A
)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=13V
VGE=17V
VGE=9V
0
10
20
30
40
50
60
70
01234
VCE (V)
I C
(A
)
TJ = 125°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
10
20
30
40
50
60
70
56
789
10
11
12
VGE (V)
I C
(A
)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
10
203040
50
607080
IC (A)
E
(
m
J
)
VCE = 600V
VGE = 15V
RG = 27
TJ = 125°C
Eon
Eoff
2
3
4
5
6
7
8
25
45
65
85
105
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J
)
VCE = 600V
VGE =15V
IC = 35A
TJ = 125°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
400
800
1200
1600
VCE (V)
I C
(A
)
VGE=15V
TJ=125°C
RG=27
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rm
a
lI
m
pe
da
nc
e
(°C
/W
)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT35H120T3 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT400A60D3G IGBT
APTGT400DA120D3G IGBT
APTGT400U120D4 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT400U120D4 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT35H120T3G 功能描述:IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT35SK120D1 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper Trench IGBT Power Module
APTGT35SK120D1G 功能描述:IGBT 1200V 55A 205W D1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT35X120BTP3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge Trench IGBT Power Module
APTGT35X120BTPG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
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