參數(shù)資料
型號： APTGT35A120T1G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 279K
代理商： APTGT35A120T1G
APTGT35A120T1G
APTGT35A
120T1
G
–
Re
v0
Augus
t,2007
www.microsemi.com
5 – 5
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=125°C
0
10
20
30
40
50
60
70
0
0.5
1
1.5
2
2.5
VF (V)
I F
(A)
hard
switching
ZCS
ZVS
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
10
203040
5060
IC (A)
Fma
x,
Op
er
at
in
g
Fr
eq
ue
nc
y
(k
H
z)
VCE=600V
D=50%
RG=27
TJ=125°C
TC=75°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
erm
al
I
m
pedan
ce
(°
C
/W)
Diode
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Microsemi's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT35H120T1G 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT35H120T3 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT35H120T3 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT400A60D3G IGBT
APTGT400DA120D3G IGBT
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參數(shù)描述
APTGT35DA120D1G 功能描述:IGBT 1200V 55A 205W D1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT35H120T1G 功能描述:IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT35H120T3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Full - Bridge Trench IGBT Power Module
APTGT35H120T3G 功能描述:IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT35SK120D1 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper Trench IGBT Power Module
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