參數(shù)資料
型號： APTGT30TL601G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大小： 225K
代理商： APTGT30TL601G
APTGT30TL601G
APT
G
T
30T
L
601G
–
Rev0
M
ar
ch,
2009
www.microsemi.com
6- 7
CR1 to CR4 Typical performance curve
Energy losses vs Collector Current
0
0.2
0.4
0.6
0.8
010
20
30
40
IF (A)
E
(m
J)
VCE = 300V
RG = 12
TJ = 150°C
0
0.125
0.25
0.375
0.5
10
30
50
70
Gate Resistance (ohms)
E
(m
J)
VCE = 300V
IC = 20A
TJ = 150°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=150°C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
VF (V)
I F
(A)
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration in Seconds
Th
e
rm
a
lIm
p
e
da
nc
e
(
°C
/W)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT35A120T1G 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT35H120T1G 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT35H120T3 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT35H120T3 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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APTGT35A120T1G 功能描述:IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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