參數(shù)資料
型號： APTGT30H60T3
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-25
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 284K
代理商： APTGT30H60T3
APTGT30H60T3
A
P
T
G
T
30
H
60T
3–
R
ev
0,
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
4 - 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
10
20
30
40
50
60
00.5
11.5
22.5
3
VCE (V)
I C
(A
)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=13V
VGE=19V
VGE=9V
0
10
20
30
40
50
60
00.5
1
1.522.533.5
VCE (V)
I C
(A
)
TJ = 150°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
10
20
30
40
50
60
567
89
10
11
12
VGE (V)
I C
(A
)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
Er
0
0.5
1
1.5
2
0
10
2030405060
IC (A)
E
(
m
J
)
VCE = 300V
VGE = 15V
RG = 15
TJ = 150°C
Eon
Eoff
Er
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
10
20
30
40
50
60
70
80
90
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J
)
VCE = 300V
VGE =15V
IC = 30A
TJ = 150°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
60
70
0
100
200
300
400 500
600
700
VCE (V)
I C
(A
)
VGE=15V
TJ=150°C
RG=15
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration in Seconds
T
h
er
m
a
lI
m
p
e
d
a
n
ce
(
°C
/W
)
IGBT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT30H60T3 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT30SK170D1G 45 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT30SK170D1 45 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT30SK170D1 45 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT30SK170T1G 45 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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APTGT30TL601G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - IGBT - Bulk
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