參數(shù)資料
型號： APTGT30H60T3
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-25
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 284K
代理商： APTGT30H60T3
APTGT30H60T3
A
P
T
G
T
30
H
60T
3–
R
ev
0,
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
1 - 5
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
600
V
TC= 25°C
50
IC
Continuous Collector Current
TC= 80°C
30
ICM
Pulsed Collector Current
TC= 25°C
60
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
TC= 25°C
90
W
RBSOA
Reverse Bias Safe Operating Area
TJ = 150°C
60A @ 550V
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.
Q3
11
10
Q1
CR1
7
22
13 14
CR3
3
30
29
32
18
19
23
8
15
31
R1
16
4
CR4
CR2
Q2
Q4
26
27
16
15
18
20
23 22
13
11 12
14
8
7
29
30
28 27 26
3
32
31
10
19
2
25
4
All multiple inputs and outputs must be shorted together
Example: 13/14 ; 29/30 ; 22/23 …
VCES = 600V
IC = 30A @ Tc = 80°C
Application
Welding converters
Switched Mode Power Supplies
Uninterruptible Power Supplies
Motor control
Features
Trench + Field Stop IGBT Technology
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 20 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
Avalanche energy rated
-
RBSOA and SCSOA rated
Kelvin emitter for easy drive
Very low stray inductance
-
Symmetrical design
High level of integration
Internal thermistor for temperature monitoring
Benefits
Stable temperature behavior
Very rugged
Solderable terminals for easy PCB mounting
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
Low profile
Each leg can be easily paralleled to achieve a phase
leg of twice the current capability
Full - Bridge
Trench + Field Stop IGBT
Power Module
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT30SK170D1G 45 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT30SK170D1 45 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT30SK170D1 45 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT30SK170T1G 45 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT30TL60T3G 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT30H60T3G 功能描述:IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT30SK170D1 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper Trench IGBT Power Module
APTGT30SK170D1G 功能描述:IGBT 1700V 45A 210W D1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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APTGT30TL601G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - IGBT - Bulk
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