參數(shù)資料
型號: APTGT200H60
廠商: Advanced Power Technology Ltd.
英文描述: Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
中文描述: 全-橋戴場站IGBT功率模塊
文件頁數(shù): 5/5頁
文件大?。?/td> 282K
代理商: APTGT200H60
APTGT200H60
A
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 5
Forward Characteristic of diode
T
J
=25°C
T
J
=125°C
T
J
=150°C
0
50
100
150
200
250
300
350
400
0
0.4
0.8
1.2
V
F
(V)
1.6
2
2.4
I
C
Hard
switching
ZCS
ZVS
0
20
40
60
80
100
120
0
50
100
150
200
250
I
C
(A)
F
V
CE
=300V
D=50%
R
G
=5
T
J
=150°C
T
c
=85°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
0.00001
0.0001
0.001
Rectangular Pulse Duration in Seconds
0.01
0.1
1
10
T
Diode
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
APT's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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PDF描述
APTGT200SK120D3 Buck chopper Trench IGBT Power Module
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參數(shù)描述
APTGT200H60G 功能描述:IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT200SK120 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT200SK120D3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper Trench IGBT Power Module
APTGT200SK120D3G 功能描述:IGBT 1200V 300A 1050W D3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT200SK120G 功能描述:IGBT 1200V 280A 890W SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B