參數(shù)資料
型號： APTGT200H60
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
中文描述： 全-橋戴場站IGBT功率模塊
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 282K
代理商： APTGT200H60
APTGT200H60
A
APT website – http://www.advancedpower.com
3 - 5
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
2500
-40
-40
-40
3
2
Typ
Max
0.24
0.4
175
125
100
5
3.5
280
Unit
IGBT
Diode
R
thJC
Junction to Case
°C/W
V
ISOL
T
J
T
STG
T
C
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
Operating junction temperature range
Storage Temperature Range
Operating Case Temperature
V
°C
To heatsink
For terminals
M6
M5
Torque Mounting torque
N.m
Wt
Package Weight
g
Package outline
(dimensions in mm)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT200SK120D3 Buck chopper Trench IGBT Power Module
APTGT200SK120 Buck chopper Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT200SK60T Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT200U170D4 Single switch Trench IGBT Power Module
APTGT20DDA60T3 Dual Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT200H60G 功能描述:IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT200SK120 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT200SK120D3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper Trench IGBT Power Module
APTGT200SK120D3G 功能描述:IGBT 1200V 300A 1050W D3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT200SK120G 功能描述:IGBT 1200V 280A 890W SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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