型號: | APTGT200DU120 |
廠商: | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
元件分類: | IGBT 晶體管 |
英文描述: | 280 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
封裝: | MODULE-7 |
文件頁數(shù): | 5/5頁 |
文件大?。?/td> | 268K |
代理商: | APTGT200DU120 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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APTGT200DU120 | 280 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
APTGT200DU60T | 290 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
APTGT200DU60T | 290 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
APTGT200SK170D3G | 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
APTGT200TL60G | 300 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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APTGT200DU120G | 功能描述:POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP6 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
APTGT200DU60T | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Dual common source Trench + Field Stop IGBT Power Module |
APTGT200DU60TG | 功能描述:POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
APTGT200H120 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Full - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module |
APTGT200H120G | 功能描述:IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |