參數(shù)資料
型號： APTGT200DU120
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 280 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 268K
代理商： APTGT200DU120
APTGT200DU120
A
P
T
G
T
200
D
U
120
–
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
4 - 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (VGE=15V)
T
J=25°C
TJ=125°C
0
100
200
300
400
0
1234
VCE (V)
I C
(A
)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=13V
VGE=17V
VGE=9V
0
100
200
300
400
01234
VCE (V)
I C
(A
)
TJ = 125°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
250
300
350
400
567
89
10
11
12
VGE (V)
I C
(A
)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
Er
0
10
20
30
40
50
0
50 100 150 200 250 300 350 400
IC (A)
E
(
m
J
)
VCE = 600V
VGE = 15V
RG = 2.7
TJ = 125°C
Eon
Eoff
Er
0
10
20
30
40
50
04
8
12
16
20
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J)
VCE = 600V
VGE =15V
IC = 200A
TJ = 125°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
0
300
600
900
1200
1500
VCE (V)
I C
(A
)
VGE=15V
TJ=125°C
RG=2.7
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
0.14
0.16
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
e
rm
a
lI
m
p
e
da
nc
e
(
°C
/W
)
IGBT
相關PDF資料
PDF描述
APTGT200DU120 280 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200DU60T 290 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200DU60T 290 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200SK170D3G 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200TL60G 300 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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APTGT200DU60T 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Dual common source Trench + Field Stop IGBT Power Module
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APTGT200H120G 功能描述:IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
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