參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT200DA60T3AG
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 290 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 203K
代理商： APTGT200DA60T3AG
APTGT200DA60T3AG
APT
G
T
200DA60
T
3AG
–
Rev
0
M
ay,
2009
www.microsemi.com
2 – 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 600V
250
A
Tj = 25°C
1.5
1.9
VCE(sat)
Collector Emitter Saturation Voltage
VGE =15V
IC = 200A
Tj = 150°C
1.7
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 2 mA
5.0
5.8
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
400
nA
Dynamic Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
12.3
Coes
Output Capacitance
0.8
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
0.4
nF
QG
Gate charge
VGE= ±15V ; VCE=300V
IC=200A
2.2
C
Td(on)
Turn-on Delay Time
115
Tr
Rise Time
45
Td(off)
Turn-off Delay Time
225
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 200A
RG = 2Ω
55
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
130
Tr
Rise Time
50
Td(off)
Turn-off Delay Time
300
Tf
Fall Time
Inductive Switching (150°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 200A
RG = 2Ω
70
ns
Tj = 25°C
1
Eon
Turn on Energy
Tj = 150°C
1.8
mJ
Tj = 25°C
5.7
Eoff
Turn off Energy
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 200A
RG = 2Ω
Tj = 150°C
7
mJ
Isc
Short Circuit data
VGE ≤15V ; VBus = 360V
tp ≤ 6s ; Tj = 150°C
1000
A
Chopper diode ratings and characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
600
V
Tj = 25°C
250
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=600V
Tj = 150°C
500
A
IF
DC Forward Current
Tc = 80°C
200
A
Tj = 25°C
1.6
2
VF
Diode Forward Voltage
IF = 200A
VGE = 0V
Tj = 150°C
1.5
V
Tj = 25°C
125
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 150°C
220
ns
Tj = 25°C
9
Qrr
Reverse Recovery Charge
Tj = 150°C
20
C
Tj = 25°C
2.2
Er
Reverse Recovery Energy
IF = 200A
VR = 300V
di/dt =2800A/s
Tj = 150°C
4.8
mJ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT200DH120 280 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200DH120 280 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200DH60 290 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200DH60 290 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200DU120 280 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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APTGT200DH120 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:Asymmetrical - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT200DH120G 功能描述:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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APTGT200DU120 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:Dual common source Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
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