參數資料
型號： APTGT150SK170
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 250 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-5
文件頁數： 2/5頁
文件大小： 268K
代理商： APTGT150SK170
APTGT150SK170
A
P
T
G
T
150
S
K
170
–
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 1700V
350
A
Tj = 25°C
2.0
2.4
VCE(sat)
Collector Emitter Saturation Voltage
VGE = 15V
IC = 150A
Tj = 125°C
2.4
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 3mA
5.0
5.8
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
600
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
13.5
Coes
Output Capacitance
0.55
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
0.44
nF
Td(on)
Turn-on Delay Time
370
Tr
Rise Time
40
Td(off)
Turn-off Delay Time
650
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = 15V
VBus = 900V
IC = 150A
RG = 4.7
180
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
400
Tr
Rise Time
50
Td(off)
Turn-off Delay Time
800
Tf
Fall Time
300
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
48
Eoff
Turn-off Switching Energy
Inductive Switching (125°C)
VGE = 15V
VBus = 900V
IC = 150A
RG = 4.7
47
mJ
Chopper diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
1700
V
Tj = 25°C
350
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=1700V
Tj = 125°C
600
A
IF(AV)
Maximum Average Forward Current
50% duty cycle
Tc = 80°C
150
A
Tj = 25°C
1.8
2.2
VF
Diode Forward Voltage
IF = 150A
Tj = 125°C
1.9
V
Tj = 25°C
385
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
490
ns
Tj = 25°C
40
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 150A
VR = 900V
di/dt =1600A/s
Tj = 125°C
64
C
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PDF描述
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