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APTGT150SK170D3G

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  • APTGT150SK170D3G
    APTGT150SK170D3G

    APTGT150SK170D3G

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 170

  • APT

  • 150A/1700V/IGBT+DIOD

  • 2024+

  • -
  • 全新現(xiàn)貨價格優(yōu)勢

  • APTGT150SK170D3G
    APTGT150SK170D3G

    APTGT150SK170D3G

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 98653

  • 原廠

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  • 1
APTGT150SK170D3G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • POWER IGBT TRANSISTOR
APTGT150SK170D3G 技術(shù)參數(shù)
  • APTGT150SK170D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 280A 780W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1700V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):280A 功率 - 最大值:780W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.4V @ 15V,150A 電流 - 集電極截止(最大值):4mA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):13nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:D1 供應(yīng)商器件封裝:D1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT150SK120TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 220A 690W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):220A 功率 - 最大值:690W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.1V @ 15V,150A 電流 - 集電極截止(最大值):350μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):10.7nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT150SK120G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 220A 690W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):220A 功率 - 最大值:690W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.1V @ 15V,150A 電流 - 集電極截止(最大值):350μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):10.7nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT150SK120D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 220A 700W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):220A 功率 - 最大值:700W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.1V @ 15V,150A 電流 - 集電極截止(最大值):4mA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):10.8nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:D1 供應(yīng)商器件封裝:D1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT150H60TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 225A 480W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:全橋反相器 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):225A 功率 - 最大值:480W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.9V @ 15V,150A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):9.2nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT200A602G APTGT200A60T3AG APTGT200A60TG APTGT200DA120D3G APTGT200DA120G APTGT200DA170D3G APTGT200DA60T3AG APTGT200DA60TG APTGT200DH120G APTGT200DH60G APTGT200DU120G APTGT200DU60TG APTGT200H120G APTGT200H60G APTGT200SK120D3G APTGT200SK120G APTGT200SK170D3G APTGT200SK60T3AG
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