參數(shù)資料
型號： APTGT150SK120D1G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-7
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 179K
代理商： APTGT150SK120D1G
APTGT150SK120D1G
APTG
T150SK120
D1G
–
Rev
2
D
ecem
ber,
2009
www.microsemi.com
1- 4
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
1200
V
TC = 25°C
220
IC
Continuous Collector Current
TC = 80°C
150
ICM
Pulsed Collector Current
TC = 25°C
300
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
TC = 25°C
690
W
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area
Tj = 125°C
300A @ 1100V
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed. See application note
APT0502 on www.microsemi.com
2
1
5
Q1
3
4
VCES = 1200V
IC = 150A @ Tc = 80°C
Application
AC and DC motor control
Switched Mode Power Supplies
Features
Trench + Field Stop IGBT Technology
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 20 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
RBSOA and SCSOA rated
Kelvin emitter for easy drive
High level of integration
M5 power connectors
Benefits
Outstanding performance at high frequency
operation
Stable temperature behavior
Very rugged
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
RoHS Compliant
Buck chopper
Trench + Field Stop IGBT
Power Module
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT150SK170 250 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT150SK170 250 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT150SK60T1G 225 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT150TA60P 225 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT150TA60P 225 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT150SK120D3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper Trench IGBT Power Module
APTGT150SK120DY 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APTGT150SK120G 功能描述:IGBT 1200V 220A 690W SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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APTGT150SK120TG 功能描述:IGBT 1200V 220A 690W SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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