- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄366578 > APTGT100DA170T (Advanced Power Technology Ltd.) Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | APTGT100DA170T |
| 廠商： | Advanced Power Technology Ltd. |
| 英文描述： | Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| 中文描述： | 升壓斬波器溝槽場站IGBT功率模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大小： | 287K |
| 代理商： | APTGT100DA170T |
APTGT100DA170T
A
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 5
Forward Characteristic of diode
T
J
=25°C
T
J
=125°C
T
J
=125°C
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0
0.5
1
1.5
V
F
(V)
2
2.5
3
I
C
hard
switching
ZCS
ZVS
0
5
10
15
20
25
30
0
20
40
60
I
C
(A)
80
100
120
140
F
V
CE
=900V
D=50%
R
G
=4.7
T
J
=125°C
T
=75°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
T
Diode
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
APT's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGT100DDA60T3 | Dual Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTGT100DH120TG | Asymmetrical - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTGT100DH170 | Asymmetrical - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTGT100DSK60T3 | Dual Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTGT100DU120T | Dual common source Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APTGT100DA170TG | 功能描述:IGBT 1700V 150A 560W SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGT100DA60T1G | 功能描述:IGBT BOOST CHOP 600V 150A SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGT100DA60T3AG | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTGT100DA60TG | 功能描述:IGBT 600V 150A 340W SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGT100DDA60T3 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Dual Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。