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APTGT100DA170T

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  • 型號(hào)
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  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
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  • APTGT100DA170TG
    APTGT100DA170TG

    APTGT100DA170TG

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號(hào)南光捷佳大廈2906

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Microsemi Corporation

  • IGBT 1700V 150A 560W

  • 22+

  • -

  • APTGT100DA170TG
    APTGT100DA170TG

    APTGT100DA170TG

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共12條 
  • 1
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  • 制造商
  • ADPOW
  • 制造商全稱
  • Advanced Power Technology
  • 功能描述
  • Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT100DA170T 技術(shù)參數(shù)
  • APTGT100DA170D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 200A 695W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1700V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:695W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:3mA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:8.5nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:D1 供應(yīng)商器件封裝:D1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT100DA120TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 140A 480W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):過(guò)期 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:140A 功率 - 最大值:480W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:7.2nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT100DA120T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 140A 480W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:140A 功率 - 最大值:480W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:7.2nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT100DA120D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 150A 520W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):過(guò)期 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:520W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:3mA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:7nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:D1 供應(yīng)商器件封裝:D1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT100BB60T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 150A 340W Through Hole SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:340W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.9V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:6.1nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT100DU120TG APTGT100DU170TG APTGT100DU60TG APTGT100H120G APTGT100H170G APTGT100H60T3G APTGT100H60TG APTGT100SK120D1G APTGT100SK120TG APTGT100SK170D1G APTGT100SK170TG APTGT100SK60T1G APTGT100SK60TG APTGT100TA120TPG APTGT100TA60PG APTGT100TDU60PG APTGT100TL170G APTGT100TL60T3G
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