參數(shù)資料
型號： APTGT100DA170D1G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 200 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 185K
代理商： APTGT100DA170D1G
APTGT100DA170D1
A
PT
G
T
10
0D
A
17
0D
1
–
R
ev
0
Ja
nu
ar
y,
20
04
APT website – http://www.advancedpower.com
1 - 3
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
1700
V
TC = 25°C
200
IC
Continuous Collector Current
TC = 80°C
100
ICM
Pulsed Collector Current
TC = 25°C
300
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
TC = 25°C
695
W
RBSOA Reverse Bias Safe Operation Area
Tj = 125°C
200A@1650V
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.
1
2
3
Q2
6
7
6
7
5
4
3
2
1
VCES = 1700V
IC = 100A @ Tc = 80°C
Application
AC and DC motor control
Switched Mode Power Supplies
Power Factor Correction
Features
Trench + Field Stop IGBT Technology
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 20 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
Avalanche energy rated
-
RBSOA and SCSOA rated
Kelvin emitter for easy drive
Low stray inductance
High level of integration
Kelvin emitter for easy drive
Low stray inductance
-
M5 power connectors
Benefits
Stable temperature behavior
Very rugged
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
Boost chopper
Trench IGBT Power Module
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT100DA170D1 200 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100DA60T1G 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100DDA60T3 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100DDA60T3 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100DH120TG 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT100DA170DG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APTGT100DA170T 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT100DA170TG 功能描述:IGBT 1700V 150A 560W SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT100DA60T1G 功能描述:IGBT BOOST CHOP 600V 150A SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT100DA60T3AG 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
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