參數(shù)資料
型號： APTGL60TL120T3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 80 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件頁數(shù)： 6/6頁
文件大?。?/td> 202K
代理商： APTGL60TL120T3G
APTGL60TL120T3G
APT
G
L
60T
L
120T
3G
–
Rev
0
M
arch,
2009
www.microsemi.com
6- 6
CR1 to CR6 Typical performance curve
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rm
a
lIm
p
e
da
nc
e
(
°C
/W)
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
TJ=25°C
TJ=125°C
0
20
40
60
80
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
VF, Anode to Cathode Voltage (V)
I F
,Forwa
rd
Current
(A)
Forward Current vs Forward Voltage
Energy losses vs Collector Current
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
20
406080
IC (A)
E
(
m
J
)
VCE = 800V
VGE = 15V
RG = 5
TJ = 125°C
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
010
20
30
Gate resistance (ohms)
E
(
m
J
)
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
VCE = 800V
VGE =15V
IC = 30A
TJ = 125°C
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Microsemi's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522 5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103
5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT100A120T3AG 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100A170D1 200 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100A170D1 200 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100A170D1G 200 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100A60T3AG 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGL700DA120D3G 功能描述:PWR MOD IGBT4 1200V 840A D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:840A 功率 - 最大值:3000W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.2V @ 15V，600A 電流 - 集電極截止（最大值）:5mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:37.2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:D3 標準包裝:1
APTGL700SK120D3G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:PWR MOD IGBT4 1200V 840A D3
APTGL700U120D4G 功能描述:IGBT 1200V 910A 3000W D4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGL700U120D4G_10 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Single switch Trench + Field Stop IGBT4 Power Module
APTGL875U120DAG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*