參數(shù)資料
型號： APTGL60TL120T3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 80 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 202K
代理商： APTGL60TL120T3G
APTGL60TL120T3G
APT
G
L
60T
L
120T
3G
–
Rev
0
M
arch,
2009
www.microsemi.com
4- 6
SP3 Package outline (dimensions in mm)
17
12
28
1
See application note 1901 - Mounting Instructions for SP3 Power Modules on www.microsemi.com
Q1 to Q4 Typical performance curve
Hard
switching
0
10
20
30
40
50
60
10 20
30 40 50 60
70 80 90
I
C (A)
Fm
a
x
,O
p
e
ra
ti
ng
Fr
e
que
nc
y
(k
H
z
)
VCE=600V
D=50%
RG=8.2
TJ=150°C
Tc=75°C
Operating Frequency vs Collector Current
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT100A120T3AG 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100A170D1 200 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100A170D1 200 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100A170D1G 200 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100A60T3AG 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGL700DA120D3G 功能描述:PWR MOD IGBT4 1200V 840A D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:840A 功率 - 最大值:3000W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.2V @ 15V，600A 電流 - 集電極截止（最大值）:5mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:37.2nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:D3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APTGL700SK120D3G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:PWR MOD IGBT4 1200V 840A D3
APTGL700U120D4G 功能描述:IGBT 1200V 910A 3000W D4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGL700U120D4G_10 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Single switch Trench + Field Stop IGBT4 Power Module
APTGL875U120DAG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
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