參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF90DA60T1G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 313K
代理商： APTGF90DA60T1G
APTGF90DA60T1G
APTG
F90DA
60T
1G
–
R
ev
0
A
ugu
st
,20
07
www.microsemi.com
4 – 6
Typical Performance Curve
Output characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
250
01
23
4
Ic
,C
o
lle
ct
or
C
u
rr
ent
(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Output Characteristics (VGE=10V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
250
01
23
4
Ic
,C
o
lle
c
to
rC
u
rre
n
t
(A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
250
01
23
4
5
67
89
10
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
Ic
,C
o
ll
ec
to
r
C
u
rre
n
t
(A
)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=180A
Ic=90A
Ic=45A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
6
8
10
12
14
16
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
V
CE
,C
o
lle
ct
o
rt
o
E
m
it
te
rVo
lt
ag
e(
V
)
On state Voltage vs Gate to Emitter Volt.
TJ = 25°C
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=180A
Ic=90A
Ic=45A
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
25
50
75
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
V
CE
,
C
o
lle
ct
o
rt
o
Emi
tt
er
Vo
lt
ag
e
(V
)
On state Voltage vs Junction Temperature
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
VGE = 15V
0.80
0.90
1.00
1.10
1.20
25
50
75
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
C
o
ll
ect
o
rt
o
E
m
it
ter
B
reakdow
n
Vo
ltage
(
N
orm
al
iz
ed)
Breakdown Voltage vs Junction Temp.
0
20
40
60
80
100
120
25
50
75
100
125
150
TC, Case Temperature (°C)
Ic
,DC
Col
lect
or
Curren
t
(A
)
DC Collector Current vs Case Temperature
Gate Charge
VCE=120V
VCE=300V
VCE=480V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
50
100
150
200
250
300
350
Gate Charge (nC)
V
GE
,G
ate
to
E
m
it
te
rV
o
lt
ag
e(
V
)
IC = 90A
TJ = 25°C
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PDF描述
APTGF90DH60T3G 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF90DSK60T3G 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF90H60TG 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF90H60T 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF90H60T 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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APTGF90DH60TG 功能描述:IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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