參數(shù)資料
型號： APTGF90DA60T1G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 313K
代理商： APTGF90DA60T1G
APTGF90DA60T1G
APTG
F90DA
60T
1G
–
R
ev
0
A
ugu
st
,20
07
www.microsemi.com
3 – 6
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
IGBT
0.3
RthJC
Junction to Case Thermal Resistance
Diode
0.55
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
150
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
100
°C
Torque Mounting torque
To heatsink
M4
2.5
4.7
N.m
Wt
Package Weight
80
g
Temperature sensor NTC (see application note APT0406 on www.microsemi.com for more information).
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
R25
Resistance @ 25°C
50
k
B 25/85
T25 = 298.15 K
3952
K
=
T
B
R
T
1
exp
25
85
/
25
SP1 Package outline (dimensions in mm)
See application note 1904 - Mounting Instructions for SP1 Power Modules on www.microsemi.com
T: Thermistor temperature
RT: Thermistor value at T
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PDF描述
APTGF90DH60T3G 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF90DSK60T3G 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF90H60TG 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF90H60T 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF90H60T 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
APTGF90DA60T3AG 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Boost chopper NPT IGBT Power Module Power Module
APTGF90DA60TG 功能描述:IGBT 600V 110A 416W SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF90DDA60T3G 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Dual Boost chopper NPT IGBT Power Module
APTGF90DH60T3G 功能描述:IGBT NPT BRIDGE 600V 110A SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF90DH60TG 功能描述:IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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