參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF90A60T
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Phase leg NPT IGBT Power Module
中文描述： 腿不擴(kuò)散核武器條約相IGBT功率模塊
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大小： 306K
代理商： APTGF90A60T
APTGF90A60T
A
APT website – http://www.advancedpower.com
4 - 6
Typical Performance Curve
Output characteristics (V
GE
=15V)
Tc=-55°C
Tc=25°C
Tc=125°C
0
50
100
150
200
250
300
350
0
1
2
3
4
I
V
CE
, Collector to Emitter Voltage (V)
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Output Characteristics (V
GE
=10V)
Tc=-55°C
Tc=25°C
Tc=125°C
0
50
100
150
200
250
300
0
1
2
3
4
I
V
CE
, Collector to Emitter Voltage (V)
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
T
J
=-55°C
T
J
=25°C
T
J
=125°C
0
50
100
150
200
250
300
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
GE
, Gate to Emitter Voltage (V)
I
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=180A
Ic=90A
Ic=45A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
6
8
10
12
14
16
V
GE
, Gate to Emitter Voltage (V)
C
,
On state Voltage vs Gate to Emitter Volt.
T
J
= 25°C
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=180A
Ic=90A
Ic=45A
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
T
J
, Junction Temperature (°C)
V
C
,
On state Voltage vs Junction Temperature
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
V
GE
= 15V
0.70
0.80
0.90
1.00
1.10
1.20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
T
J
, Junction Temperature (°C)
C
V
Breakdown Voltage vs Junction Temp.
0
20
40
60
80
100
120
140
160
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
T
C
, Case Temperature (°C)
I
DC Collector Current vs Case Temperature
Gate Charge
V
CE
=120V
V
CE
=300V
V
CE
=480V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
50
100
150
200
250
300
350
Gate Charge (nC)
V
G
,
I
C
= 90A
T
J
= 25°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF90DU60T Dual common source NPT IGBT Power Module
APTGF90SK60D1 Buck chopper NPT IGBT Power Module
APTGF90X60E3 3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
APTGF90X60TE3 3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
APTGS10X120BTP2 Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge NPT IGBT Power Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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APTGF90A60T3AG 制造商:MICROSEMI 制造商全稱(chēng):Microsemi Corporation 功能描述:Phase leg NPT IGBT Power Module Power Module
APTGF90A60TG 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP4 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF90DA60CT1G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON CARBIDE/SILICON HYBRID MODULES
APTGF90DA60D1 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:Boost Chopper NPT IGBT Power Module
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