參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF90A60T
廠(chǎng)商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Phase leg NPT IGBT Power Module
中文描述： 腿不擴(kuò)散核武器條約相IGBT功率模塊
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 306K
代理商： APTGF90A60T
APTGF90A60T
A
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 6
All ratings @ T
j
= 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
BV
CES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
Test Conditions
V
GE
= 0V, I
C
= 100μA
V
GE
= 0V
V
CE
= 600V
V
GE
=15V
I
C
= 90A
V
GE
= V
CE
, I
C
= 1mA
V
GE
= ±20 V, V
CE
= 0V
Min
600
3
Typ
2.0
2.2
Max
100
1000
2.5
5
±150
Unit
V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
I
CES
Zero Gate Voltage Collector Current
μA
V
CE(on)
Collector Emitter on Voltage
V
V
GE(th)
I
GES
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
C
ies
Input Capacitance
C
oes
Output Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
Q
g
Total gate Charge
Q
ge
Gate – Emitter Charge
Q
gc
Gate – Collector Charge
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
E
on
Turn-on Switching Energy
E
off
Turn-off Switching Energy
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
E
on
Turn-on Switching Energy
E
off
Turn-off Switching Energy
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
I
F(AV)
Maximum Average Forward Current
Gate Threshold Voltage
Gate – Emitter Leakage Current
V
nA
Test Conditions
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
f = 1MHz
Min
Typ
4300
470
400
330
290
200
26
25
150
30
3.35
2.85
26
25
170
40
4.3
3.5
Max
Unit
pF
V
GS
= 15V
V
Bus
= 300V
I
C
= 90A
nC
ns
Inductive Switching (25°C)
V
GE
= 15V
V
Bus
= 400V
I
C
= 90A
R
G
= 5
mJ
ns
Inductive Switching (125°C)
V
GE
= 15V
V
Bus
= 400V
I
C
= 90A
R
G
= 5
mJ
Test Conditions
50% duty cycle
I
F
= 60A
I
F
= 120A
I
F
= 60A
I
F
= 60A
V
R
= 400V
di/dt =400A/μs
I
F
= 60A
V
R
= 400V
di/dt =400A/μs
Min
Typ
60
1.6
1.9
1.4
Max
1.8
Unit
A
T
c
= 70°C
V
F
Diode Forward Voltage
T
j
= 125°C
V
T
j
= 25°C
85
t
rr
Reverse Recovery Time
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
160
ns
260
Q
rr
Reverse Recovery Charge
T
j
= 125°C
1400
nC
E
on
includes diode reverse recovery
In accordance with JEDEC standard JESD24-1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF90DU60T Dual common source NPT IGBT Power Module
APTGF90SK60D1 Buck chopper NPT IGBT Power Module
APTGF90X60E3 3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
APTGF90X60TE3 3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
APTGS10X120BTP2 Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge NPT IGBT Power Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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APTGF90A60T3AG 制造商:MICROSEMI 制造商全稱(chēng):Microsemi Corporation 功能描述:Phase leg NPT IGBT Power Module Power Module
APTGF90A60TG 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP4 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF90DA60CT1G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON CARBIDE/SILICON HYBRID MODULES
APTGF90DA60D1 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:Boost Chopper NPT IGBT Power Module
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