參數資料
型號： APTGF50TL60T3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件頁數： 2/8頁
文件大?。?/td> 238K
代理商： APTGF50TL60T3G
APTGF50TL60T3G
APT
G
F50TL
60T
3G
–
Rev
0
M
ar
ch,
2009
www.microsemi.com
2- 8
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Q1 to Q4 Electrical Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Tj = 25°C
250
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V
VCE = 600V
Tj = 125°C
500
A
Tj = 25°C
1.7
2.0
2.45
VCE(sat)
Collector Emitter Saturation Voltage
VGE =15V
IC = 50A
Tj = 125°C
2.2
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 1mA
4
6
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
400
nA
Q1 to Q4 Dynamic Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
2200
Coes
Output Capacitance
323
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
200
pF
Qg
Total gate Charge
166
Qge
Gate – Emitter Charge
20
Qgc
Gate – Collector Charge
VGE = 15V
VBus = 300V
IC = 50A
100
nC
Td(on)
Turn-on Delay Time
40
Tr
Rise Time
9
Td(off)
Turn-off Delay Time
120
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = 15V
VBus = 400V
IC = 50A
RG = 2.7Ω
12
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
42
Tr
Rise Time
10
Td(off)
Turn-off Delay Time
130
Tf
Fall Time
Inductive Switching (125°C)
VGE = 15V
VBus = 400V
IC = 50A
RG = 2.7Ω
21
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
Tj = 125°C
0.5
Eoff
Turn-off Switching Energy
VGE = 15V
VBus = 400V
IC = 50A
RG = 2.7Ω
Tj = 125°C
1
mJ
Isc
Short Circuit data
VGE ≤15V ; VBus = 360V
tp ≤ 10s ; Tj = 125°C
225
A
RthJC
Junction to Case Thermal Resistance
0.5
°C/W
相關PDF資料
PDF描述
APTGF50VDA60T3G 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50X120E3 78 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50X120E3G 78 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50X120E3 78 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF75DA60D1 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關代理商/技術參數
參數描述
APTGF50VDA120T3G 功能描述:POWER MOD IGBT NPT DL BOOST SP3 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
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APTGF50X120E2 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
APTGF50X120E2G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APTGF50X120E3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
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