參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF50SK120T
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-12
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大小： 299K
代理商： APTGF50SK120T
APTGF50SK120T
A
PT
G
K
120T
–
R
ev
1
M
ar
ch,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
5- 6
VGE = 15V
25
30
35
40
45
0
25
50
75
100
125
ICE, Collector to Emitter Current (A)
td
(on)
,Turn-
O
n
De
la
y
T
im
e(
n
s
)
Turn-On Delay Time vs Collector Current
VCE = 600V
RG = 5
VGE=15V,
TJ=25°C
VGE=15V,
TJ=125°C
200
250
300
350
400
0
25
50
75
100
125
ICE, Collector to Emitter Current (A)
Turn-Off Delay Time vs Collector Current
td
(o
ff),
T
u
rn
-O
ff
D
el
ay
T
im
e
(n
s)
VCE = 600V
RG = 5
VGE=15V
20
60
100
140
180
0
25
50
75
100
125
ICE, Collector to Emitter Current (A)
tr
,R
ise
T
im
e(
n
s)
Current Rise Time vs Collector Current
VCE = 600V
RG = 5
TJ = 25°C
TJ = 125°C
20
30
40
50
0
255075
100
125
ICE, Collector to Emitter Current (A)
tf
,F
all
T
im
e
(
n
s)
Current Fall Time vs Collector Current
VCE = 600V, VGE = 15V, RG = 5
TJ=25°C,
VGE=15V
TJ=125°C,
VGE=15V
0
4
8
12
16
20
24
28
0
25
50
75
100
125
ICE, Collector to Emitter Current (A)
Turn-On Energy Loss vs Collector Current
E
on,
Turn-
O
n
E
n
e
rgy
L
o
s
s(
m
J)
VCE = 600V
RG = 5
TJ = 25°C
TJ = 125°C
0
2
4
6
8
0
255075
100
125
ICE, Collector to Emitter Current (A)
E
o
ff
,Turn-
of
fE
n
er
gy
Los
s(
m
J)
Turn-Off Energy Loss vs Collector Current
VCE = 600V
VGE = 15V
RG = 5
Eon, 50A
Eoff, 50A
Eon, 25A
Eoff, 25A
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
102030
40
50
Gate Resistance (Ohms)
S
w
it
ch
ing
E
n
e
rgy
Los
s
es
(
m
J)
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
VCE = 600V
VGE = 15V
TJ= 125°C
Eon, 50A
Eoff, 50A
Eon, 25A
Eoff, 25A
0
2
4
6
8
0
25
50
75
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
S
w
it
ch
in
g
En
e
rg
y
L
o
s
ses
(
m
J)
Switching Energy Losses vs Junction Temp.
VCE = 600V
VGE = 15V
RG = 5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF50TL60T3G 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50VDA60T3G 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50X120E3 78 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50X120E3G 78 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50X120E3 78 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF50SK120T1G 功能描述:IGBT 1200V 75A 312W SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF50SK120TG 功能描述:IGBT 1200V 75A 312W SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF50TA120P 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Triple phase leg NPT IGBT Power Module
APTGF50TA120PG 功能描述:IGBT MODULE NPT TRPL PHASE SP6P RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF50TDU120P 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Triple dual Common Source NPT IGBT Power Module
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