參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF50DSK60T3
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-25
文件頁(yè)數(shù)： 6/6頁(yè)
文件大?。?/td> 320K
代理商： APTGF50DSK60T3
APTGF50DSK60T3
A
P
T
G
F
50
D
S
K
60
T
3–
R
ev
0
S
ept
em
be
r,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
6 - 6
Cies
Cres
Coes
100
1000
10000
0
1020
304050
C
,C
a
p
aci
ta
n
ce
(
p
F
)
Capacitance vs Collector to Emitter Voltage
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rm
a
lI
m
pe
da
n
c
e
(
°C
/W
)
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
Operating Frequency vs Collector Current
hard
switching
ZCS
ZVS
0
40
80
120
160
200
240
0
204060
80
100
IC, Collector Current (A)
F
ma
x,
O
p
er
at
in
g
Fr
e
q
ue
nc
y(
k
H
z)
VCE = 400V
D = 50%
RG = 2.7
TJ = 125°C
TC= 75°C
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
APT's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF50H60T1G 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50SK120T1G 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50SK120T 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50SK120T 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50TL60T3G 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
APTGF50DSK60T3G 功能描述:IGBT MODULE NPT BUCK CHOP SP3 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF50DU120T 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:Dual common source NPT IGBT Power Module
APTGF50DU120TG 功能描述:IGBT MODULE NPT DUAL SP4 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF50H120CT3G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APTGF50H120TG 功能描述:IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP4 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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