參數(shù)資料
型號： APTGF350A60
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Phase leg NPT IGBT Power Module
中文描述： 腿不擴散核武器條約相IGBT功率模塊
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 298K
代理商： APTGF350A60
APTGF350A60
A
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 6
V
GE
= 15V
15
20
25
30
35
100
200
300
400
500
600
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
t
Turn-On Delay Time vs Collector Current
Tj = 25°C
V
CE
= 400V
R
G
= 1.25
V
GE
=15V,
T
J
=25°C
V
GE
=15V,
T
J
=125°C
50
100
150
200
250
100
200
300
400
500
600
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
Turn-Off Delay Time vs Collector Current
V
CE
= 400V
R
G
= 1.25
V
GE
=15V,
T
J
=125°C
0
20
40
60
80
100
200
300
400
500
600
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
t
Current Rise Time vs Collector Current
V
CE
= 400V
R
G
= 1.25
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0
20
40
60
80
100
200
300
400
500
600
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
t
Current Fall Time vs Collector Current
V
CE
= 400V, V
GE
= 15V, R
G
= 1.25
T
J
=25°C,
V
GE
=15V
T
J
=125°C,
V
GE
=15V
0
8
16
24
32
100
200
300
400
500
600
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
E
o
,
Turn-On Energy Loss vs Collector Current
V
CE
= 400V
R
G
= 1.25
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0
4
8
12
16
20
24
100
200
300
400
500
600
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
E
o
,
Turn-Off Energy Loss vs Collector Current
V
CE
= 400V
V
GE
= 15V
R
G
= 1.25
Eon, 720A
Eoff, 720A
Eon, 360A
Eoff, 360A
Eon, 180A
Eoff, 180A
0
16
32
48
64
0
2
4
6
8
10
12
Gate Resistance (Ohms)
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
S
V
CE
= 400V
V
GE
= 15V
T
J
= 125°C
Eon, 720A
Eoff, 720A
Eon, 360A
Eoff, 360A
Eon, 180A
Eoff, 180A
0
8
16
24
32
40
0
25
50
75
100
125
T
J
, Junction Temperature (°C)
S
Switching Energy Losses vs Junction Temp.
V
CE
= 400V
V
GE
= 15V
R
G
= 1.25
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF350DU60 Dual common source NPT IGBT Power Module
APTGF50A120T Phase leg NPT IGBT Power Module
APTGF50DH120T Asymmetrical - Bridge NPT IGBT Power Module
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APTGF50X120E3 3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
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參數(shù)描述
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APTGF350DA60G 功能描述:IGBT 600V 430A 1562W SP6 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF350DU60 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Dual common source NPT IGBT Power Module
APTGF350DU60G 功能描述:IGBT MODULE NPT DUAL SP6 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF350SK60 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper NPT IGBT Power Module
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