參數資料
型號: APTGF350A60
廠商: Advanced Power Technology Ltd.
英文描述: Phase leg NPT IGBT Power Module
中文描述: 腿不擴散核武器條約相IGBT功率模塊
文件頁數: 4/6頁
文件大小: 298K
代理商: APTGF350A60
APTGF350A60
A
APT website – http://www.advancedpower.com
4 - 6
Typical Performance Curve
Output characteristics (V
GE
=15V)
T
J
=-55°C
T
J
=25°C
T
J
=125°C
0
200
400
600
800
1000
1200
0
1
2
3
4
I
V
CE
, Collector to Emitter Voltage (V)
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
T
J
=-55°C
T
J
=25°C
T
J
=125°C
0
200
400
600
800
1000
1200
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
GE
, Gate to Emitter Voltage (V)
I
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=720A
Ic=360A
Ic=180A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
6
8
10
12
14
16
V
GE
, Gate to Emitter Voltage (V)
C
,
On state Voltage vs Gate to Emitter Volt.
T
J
= 25°C
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=720A
Ic=360A
Ic=180A
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
-50
-25
T
J
, Junction Temperature (°C)
0
25
50
75
100
125
V
C
,
On state Voltage vs Junction Temperature
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
V
GE
= 15V
0.70
0.80
0.90
1.00
1.10
1.20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
T
J
, Junction Temperature (°C)
C
V
Breakdown Voltage vs Junction Temp.
0
160
320
480
640
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
T
C
, Case Temperature (°C)
I
DC Collector Current vs Case Temperature
Gate Charge
V
CE
=120V
V
CE
=300V
V
CE
=480V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
200
400
600
800
1000 1200 1400
Gate Charge (nC)
V
G
,
I
C
= 360A
T
J
= 25°C
Output Characteristics (V
GE
=10V)
T
J
=-55°C
T
J
=25°C
T
J
=125°C
0
200
400
600
800
1000
I
1200
0
1
2
3
4
V
CE
, Collector to Emitter Voltage (V)
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
相關PDF資料
PDF描述
APTGF350DU60 Dual common source NPT IGBT Power Module
APTGF50A120T Phase leg NPT IGBT Power Module
APTGF50DH120T Asymmetrical - Bridge NPT IGBT Power Module
APTGF50SK120T Buck chopper NPT IGBT Power Module
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參數描述
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APTGF350DU60 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Dual common source NPT IGBT Power Module
APTGF350DU60G 功能描述:IGBT MODULE NPT DUAL SP6 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
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