參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF30H60T3
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 42 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-25
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大小： 321K
代理商： APTGF30H60T3
APTGF30H60T3
A
P
T
G
F
30
H
60T
3–
R
ev
0
S
ept
em
be
r,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 6
VGE = 15V
10
20
30
40
50
0
1020304050
60
70
ICE, Collector to Emitter Current (A)
td
(o
n
),
T
u
rn
-O
n
D
e
la
yT
im
e(n
s)
Turn-On Delay Time vs Collector Current
Tj = 125°C
VCE = 400V
RG = 6.8
VGE=15V,
TJ=25°C
VGE=15V,
TJ=125°C
25
50
75
100
125
0
10
20
30
40
50
60
70
ICE, Collector to Emitter Current (A)
td
(o
ff),
T
u
rn
-O
ff
D
el
a
y
T
im
e
(
n
s
)
Turn-Off Delay Time vs Collector Current
VCE = 400V
RG = 6.8
VGE=15V,
TJ=125°C
0
10
20
30
40
50
0
1020
304050
6070
ICE, Collector to Emitter Current (A)
tr
,R
ise
T
im
e
(
n
s)
Current Rise Time vs Collector Current
VCE = 400V
RG = 6.8
TJ = 25°C
TJ = 125°C
0
10
20
30
40
50
0
1020
3040
5060
70
ICE, Collector to Emitter Current (A)
tf,
F
a
ll
T
im
e
(n
s
)
Current Fall Time vs Collector Current
VCE = 400V, VGE = 15V, RG = 6.8
TJ=125°C,
VGE=15V
0
0.25
0.5
0.75
1
0
10203040
506070
ICE, Collector to Emitter Current (A)
E
on
,T
u
rn
-O
n
E
n
er
g
y
L
o
ss
(
m
J)
Turn-On Energy Loss vs Collector Current
VCE = 400V
RG = 6.8
TJ = 125°C
0
0.5
1
1.5
2
0
10
203040506070
ICE, Collector to Emitter Current (A)
E
of
f,
T
u
rn
-o
ff
E
n
er
g
y
L
o
ss
(m
J)
Turn-Off Energy Loss vs Collector Current
VCE = 400V
VGE = 15V
RG = 6.8
Eon, 30A
Eoff, 30A
0
0.25
0.5
0.75
1
0
5
10
15
20
25
Gate Resistance (Ohms)
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
S
w
it
ch
in
g
E
n
er
g
y
L
o
sses
(
m
J)
VCE = 400V
VGE = 15V
TJ= 125°C
0
10
20
30
40
50
60
70
0
100
200
300
400
500
600
I C
,C
o
lle
c
to
rC
u
rr
e
n
t(
A
)
Minimum Switching Safe Operating Area
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF330A60D3G 460 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF330DA60D3G 460 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF330DA60D3 460 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF330DA60D3 460 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF330SK60D3G 460 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF30H60T3G 功能描述:POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF30TL601G 功能描述:POWER MODULE IGBT 600V 30A SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF30TL60T3G 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Three level inverter NPT IGBT Power Module
APTGF30X60BTP2 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge NPT IGBT Power Module
APTGF30X60BTP2G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
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