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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APTGF30H60T3 |
| 廠(chǎng)商： | Advanced Power Technology Ltd. |
| 英文描述： | Full - Bridge NPT IGBT Power Module |
| 中文描述： | 全-橋不擴(kuò)散核武器條約IGBT功率模塊 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 331K |
| 代理商： | APTGF30H60T3 |
APTGF30H60T3
A
APT website – http://www.advancedpower.com
6 - 6
Cies
Cres
Coes
10
100
1000
10000
0
10
20
30
40
50
C
Capacitance vs Collector to Emitter Voltage
V
CE
, Collector to Emitter Voltage (V)
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
T
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
Operating Frequency vs Collector Current
hard
switching
ZCS
ZVS
0
40
80
120
160
200
240
280
0
10
20
30
40
50
I
C
, Collector Current (A)
F
m
,
V
CE
= 400V
D = 50%
R
G
= 6.8
T
J
= 125°C
T
C
= 75°C
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
APT's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| APTGF30TL60T3G | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱(chēng):Microsemi Corporation 功能描述:Three level inverter NPT IGBT Power Module |
| APTGF30X60BTP2 | 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge NPT IGBT Power Module |
| APTGF30X60BTP2G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
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