參數(shù)資料
型號： APTGF30H60T3
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Full - Bridge NPT IGBT Power Module
中文描述： 全-橋不擴散核武器條約IGBT功率模塊
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 331K
代理商： APTGF30H60T3
APTGF30H60T3
A
APT website – http://www.advancedpower.com
3 - 6
Temperature sensor NTC
Symbol Characteristic
R
25
Resistance @ 25°C
B
25/85
T
25
= 298.16 K
Min
Typ
68
4080
Max
Unit
k
K
=
T
T
B
R
R
T
1
1
exp
25
85
/
25
25
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
2500
-40
-40
-40
Typ
Max
0.9
2.0
150
125
100
4.7
110
Unit
IGBT
Diode
R
thJC
Junction to Case
°C/W
V
ISOL
T
J
T
STG
T
C
Torque Mounting torque
Wt
Package Weight
Package outline
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
Operating junction temperature range
Storage Temperature Range
Operating Case Temperature
V
°C
To heatsink
M4
N.m
g
1
12
2
1
T: Thermistor temperature
R
T
: Thermistor value at T
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PDF描述
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參數(shù)描述
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