參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF300A120
廠(chǎng)商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Phase leg NPT IGBT Power Module
中文描述： 腿不擴(kuò)散核武器條約相IGBT功率模塊
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 225K
代理商： APTGF300A120
APTGF300A120
A
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 5
All ratings @ T
j
= 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
BV
CES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
Test Conditions
V
GE
= 0V, I
C
= 4mA
V
GE
= 0V
V
CE
= 1200V
V
GE
=15V
I
C
= 300A
V
GE
= V
CE
, I
C
= 12mA
V
GE
= ±20V, V
CE
= 0V
Min
1200
4.5
Typ
0.4
25
3.3
4
Max
6
3.9
6.5
±1
Unit
V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
I
CES
Zero Gate Voltage Collector Current
mA
V
CE(on)
Collector Emitter on Voltage
V
V
GE(th)
I
GES
Gate Threshold Voltage
Gate – Emitter Leakage Current
V
μA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
C
ies
Input Capacitance
C
oes
Output Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
E
on
Turn-on Switching Energy
E
off
Turn-off Switching Energy
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
I
F(AV)
Maximum Average Forward Current
Test Conditions
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
f = 1MHz
Inductive Switching (125°C)
V
GE
= 15V
V
Bus
= 600V
I
C
= 300A
R
G
= 2
Min
Typ
21
2.9
1.52
70
50
500
30
17
18
Max
Unit
nF
ns
mJ
Test Conditions
50% duty cycle
I
F
= 300A
I
F
= 400A
I
F
= 400A
Min
Typ
250
2.2
2.4
2.2
13
40
Max
2.5
Unit
A
Tc = 85°C
V
F
Diode Forward Voltage
T
j
= 150°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
V
Q
rr
Reverse Recovery Charge
I
F
= 300A
μC
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PDF描述
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