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參數(shù)資料
| 型號： | APTGF25DSK120T3G |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SP3, MODULE-25 |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 289K |
| 代理商： | APTGF25DSK120T3G |
APTGF25DSK120T3G
A
P
T
G
F
25
D
S
K
120
T
3G
–
R
ev
1
J
ul
y,
2006
www.microsemi.com
4 - 6
Typical Performance Curve
Output characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
123
456
78
Ic
,C
o
lle
ct
o
r
C
u
rr
e
n
t(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Output Characteristics (VGE=10V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
4
8
12
16
20
00.511.522.5
3
3.5
Ic
,C
o
lle
ct
o
r
C
u
rre
nt
(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
T
J=2 5°C
T
J=12 5°C
0
20
40
60
80
100
120
0
2.5
5
7.5
10
12.5
15
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
Ic
,C
o
lle
ct
o
r
C
u
rr
e
n
t(
A
)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Gate Charge
V
CE =2 40V
VCE=600V
VCE=960V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
30
60
90
120
150
180
Gate Charge (nC)
V
GE
,G
a
te
to
E
m
it
ter
V
o
lt
a
g
e(V
)
I
C = 25A
TJ = 25°C
Ic=50A
Ic=25A
Ic=12.5A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10111213141516
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
On state Voltage vs Gate to Emitter Volt.
V
CE
,C
o
lle
ct
o
rt
o
E
m
it
te
rV
o
lt
ag
e
(V
)
TJ = 125°C
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=50A
Ic=25A
Ic=12.5A
0
1
2
3
4
5
6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
V
CE
,C
o
lle
ct
o
rt
o
E
m
it
te
rV
o
lt
ag
e
(
V
)
On state Voltage vs Junction Temperature
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
V
GE = 15V
0.80
0.85
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
-50
-25
0
25
50
75
100 125
TJ, Junction Temperature (°C)
C
o
ll
ec
tor
t
o
E
m
it
te
rB
re
ak
dow
n
V
o
lt
ag
e
(N
or
m
al
iz
e
d)
Breakdown Voltage vs Junction Temp.
0
10
20
30
40
50
60
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
TC, Case Temperature (°C)
Ic
,D
C
o
lle
ct
o
rC
u
rr
en
t(
A
)
DC Collector Current vs Case Temperature
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF25X120T3G | 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF300A120D3G | IGBT |
| APTGF300DA120G | 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF300DU120 | 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF300DU120 | 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APTGF25H120T1G | 功能描述:POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGF25H120T2G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD IGBT NPT 1200V 40V SP2 |
| APTGF25H120T3 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Full - Bridge NPT IGBT Power Module |
| APTGF25H120T3G | 功能描述:IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGF25H120T3G_09 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Full - Bridge NPT IGBT Power Module |
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