參數(shù)資料
型號： APTGF250SK60D3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, D3, 11 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 210K
代理商： APTGF250SK60D3G
APTGF250SK60D3G
APT
G
F250SK60D3G
–
Rev
0
Septem
ber
,2008
www.microsemi.com
4- 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
100
200
300
400
500
600
00.5
1
1.5
22.5
33.5
VCE (V)
I C
(A
)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=12V
VGE=20V
VGE=9V
0
100
200
300
400
500
600
01
23
45
VCE (V)
I C
(A)
TJ = 125°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
100
200
300
400
500
600
56
78
9
10
11
12
VGE (V)
I C
(A
)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
Err
0
5
10
15
20
25
30
0
150
300
450
600
IC (A)
E
(
m
J
)
VCE = 300V
VGE = 15V
RG = 6
TJ = 125°C
Eon
Eoff
Err
0
10
20
30
40
0
5
10
15
20
25
30
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J
)
VCE = 300V
VGE =15V
IC = 300A
TJ = 125°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Safe Operating Area
0
100
200
300
400
500
600
700
0
100
200
300
400
500
600
VCE (V)
I C
(A
)
VGE=15V
TJ=125°C
RG=6
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
T
h
e
rmal
Im
pe
danc
e
(°C
/W)
IGBT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF25DSK120T3G 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF25X120T3G 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF300A120D3G IGBT
APTGF300DA120G 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF300DU120 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF25A120T1G 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF25DDA120T3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Dual Boost Chopper NPT IGBT Power Module
APTGF25DDA120T3G 功能描述:IGBT MODULE NPT DL BST CHOP SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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