參數(shù)資料
型號： APTGF180H60
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Full - Bridge NPT IGBT Power Module
中文描述： 全-橋不擴散核武器條約IGBT功率模塊
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大小： 303K
代理商： APTGF180H60
APTGF180H60
A
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 6
V
GE
= 15V
15
20
25
30
35
50
100
150
200
250
300
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
t
Turn-On Delay Time vs Collector Current
Tj = 25°C
V
CE
= 400V
R
G
= 2.5
V
GE
=15V,
T
J
=25°C
V
GE
=15V,
T
J
=125°C
50
100
150
200
250
50
100
150
200
250
300
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
Turn-Off Delay Time vs Collector Current
V
CE
= 400V
R
G
= 2.5
V
GE
=15V,
T
J
=125°C
0
20
40
60
80
50
100
150
200
250
300
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
t
Current Rise Time vs Collector Current
V
CE
= 400V
R
G
= 2.5
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0
20
40
60
80
50
100
150
200
250
300
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
t
Current Fall Time vs Collector Current
V
CE
= 400V, V
GE
= 15V, R
G
= 2.5
T
J
=25°C,
V
GE
=15V
T
J
=125°C,
V
GE
=15V
0
4
8
12
16
50
100
150
200
250
300
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
E
o
,
Turn-On Energy Loss vs Collector Current
V
CE
= 400V
R
G
= 2.5
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0
2
4
6
8
10
12
50
100
150
200
250
300
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
E
o
,
Turn-Off Energy Loss vs Collector Current
V
CE
= 400V
V
GE
= 15V
R
G
= 2.5
Eon, 360A
Eoff, 360A
Eon, 180A
Eoff, 180A
Eon, 90A
Eoff, 90A
0
8
16
24
32
0
5
10
15
20
25
Gate Resistance (Ohms)
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
S
V
CE
= 400V
V
GE
= 15V
T
J
= 125°C
Eon, 360A
Eoff, 360A
Eon, 180A
Eoff, 180A
Eon, 90A
Eoff, 90A
0
4
8
12
16
20
0
25
50
75
100
125
T
J
, Junction Temperature (°C)
S
Switching Energy Losses vs Junction Temp.
V
CE
= 400V
V
GE
= 15V
R
G
= 2.5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF180SK60T Buck chopper NPT IGBT Power Module
APTGF200U120D Single Switch with Series diodes NPT IGBT Power Module
APTGF200U60D4 Single switch NPT IGBT Power Module
APTGF20X60BTP2 Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge NPT IGBT Power Module
APTGF20X60E2 3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF180H60G 功能描述:POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF180SK60D3G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APTGF180SK60T 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper NPT IGBT Power Module
APTGF180SK60TG 功能描述:IGBT 600V 220A 833W SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF200A120D3G 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE LEG D3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*