參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF180A60T
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Phase leg NPT IGBT Power Module
中文描述： 腿不擴(kuò)散核武器條約相IGBT功率模塊
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大?。?/td> 311K
代理商： APTGF180A60T
APTGF180A60T
A
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 6
V
GE
= 15V
15
20
25
30
35
50
100
150
200
250
300
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
t
Turn-On Delay Time vs Collector Current
Tj = 25°C
V
CE
= 400V
R
G
= 2.5
V
GE
=15V,
T
J
=25°C
V
GE
=15V,
T
J
=125°C
50
100
150
200
250
50
100
150
200
250
300
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
Turn-Off Delay Time vs Collector Current
V
CE
= 400V
R
G
= 2.5
V
GE
=15V,
T
J
=125°C
0
20
40
60
80
50
100
150
200
250
300
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
t
Current Rise Time vs Collector Current
V
CE
= 400V
R
G
= 2.5
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0
20
40
60
80
50
100
150
200
250
300
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
t
Current Fall Time vs Collector Current
V
CE
= 400V, V
GE
= 15V, R
G
= 2.5
T
J
=25°C,
V
GE
=15V
T
J
=125°C,
V
GE
=15V
0
4
8
12
16
50
100
150
200
250
300
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
E
o
,
Turn-On Energy Loss vs Collector Current
V
CE
= 400V
R
G
= 2.5
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0
2
4
6
8
10
12
50
100
150
200
250
300
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
E
o
,
Turn-Off Energy Loss vs Collector Current
V
CE
= 400V
V
GE
= 15V
R
G
= 2.5
Eon, 360A
Eoff, 360A
Eon, 180A
Eoff, 180A
Eon, 90A
Eoff, 90A
0
8
16
24
32
0
5
10
15
20
25
Gate Resistance (Ohms)
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
S
V
CE
= 400V
V
GE
= 15V
T
J
= 125°C
Eon, 360A
Eoff, 360A
Eon, 180A
Eoff, 180A
Eon, 90A
Eoff, 90A
0
4
8
12
16
20
0
25
50
75
100
125
T
J
, Junction Temperature (°C)
S
Switching Energy Losses vs Junction Temp.
V
CE
= 400V
V
GE
= 15V
R
G
= 2.5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF180DU60T Dual common source NPT IGBT Power Module
APTGF180H60 Full - Bridge NPT IGBT Power Module
APTGF180SK60T Buck chopper NPT IGBT Power Module
APTGF200U120D Single Switch with Series diodes NPT IGBT Power Module
APTGF200U60D4 Single switch NPT IGBT Power Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF180A60TG 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF180DA60D3G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APTGF180DA60TG 功能描述:IGBT 600V 220A 833W SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF180DH60G 功能描述:POWER MODULE IGBT 600V 180A SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF180DU60T 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Dual common source NPT IGBT Power Module
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*