型號: | APTGF165SK60D1 |
廠商: | Advanced Power Technology Ltd. |
英文描述: | Buck chopper NPT IGBT Power Module |
中文描述: | 降壓斬波器不擴(kuò)散核武器條約IGBT功率模塊 |
文件頁數(shù): | 1/3頁 |
文件大小: | 138K |
代理商: | APTGF165SK60D1 |
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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APTGF165SK60D1G | 功能描述:IGBT 600V 230A 730W D1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
APTGF180A60D3G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
APTGF180A60T | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg NPT IGBT Power Module |
APTGF180A60TG | 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
APTGF180DA60D3G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |