參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF15X120E2
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-17
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大小： 244K
代理商： APTGF15X120E2
APTGF15X120E2
APTGF15X120P2
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APT website – http://www.advancedpower.com
3 - 4
Package outline
Pin out: APTGF15X120E2 (Long pins)
ALL DIMENSIONS MARKED " * " ARE TOLERENCED AS :
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF15X120P2 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF15X120E2G 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF15X120E2 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF15X120T3G 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF15X60BTP2 25 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF15X120E2G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APTGF15X120P2 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
APTGF15X120P2G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APTGF15X120T3G 功能描述:IGBT MODULE NPT 3PH BRIDGE SP3 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF15X60BTP2 制造商:MICROSEMI 制造商全稱(chēng):Microsemi Corporation 功能描述:Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge NPT IGBT Power Module
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