型號: | APTGF15X60BTP2 |
廠商: | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
元件分類: | IGBT 晶體管 |
英文描述: | 25 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
封裝: | MODULE-24 |
文件頁數: | 1/4頁 |
文件大?。?/td> | 241K |
代理商: | APTGF15X60BTP2 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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APTGF15X60RTP2 | 25 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
APTGF15X60RTP2G | 25 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
APTGF15X60BTP2 | 25 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
APTGF15X60BTP2G | 25 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
APTGF165DA60D1G | 230 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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APTGF15X60BTP2G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
APTGF15X60RTP2 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge NPT IGBT Power Module |
APTGF15X60RTP2G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
APTGF165A60D1G | 功能描述:IGBT NPT PHASE 600V 230A D1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
APTGF165DA60D1 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Boost Chopper NPT IGBT Power Module |