參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF150DU120T
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-12
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 276K
代理商： APTGF150DU120T
APTGF150DU120T
A
P
T
G
F
150
D
U
120T
–
R
ev
0
J
anua
ry,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Tj = 25°C
0.1
3
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V
VCE = 1200V
Tj = 125°C
5
mA
Tj = 25°C
3.2
3.7
VCE(on)
Collector Emitter on Voltage
VGE =15V
IC = 150A
Tj = 125°C
3.9
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 5 mA
4.5
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = ±20V, VCE = 0V
±500
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
10.2
Coes
Output Capacitance
1.4
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
0.75
nF
Td(on)
Turn-on Delay Time
120
Tr
Rise Time
50
Td(off)
Turn-off Delay Time
310
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = 15V
VBus = 600V
IC = 150A
RG = 5.6
20
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
130
Tr
Rise Time
60
Td(off)
Turn-off Delay Time
360
Tf
Fall Time
30
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
18
Eoff
Turn-off Switching Energy
Inductive Switching (125°C)
VGE = 15V
VBus = 600V
IC = 150A
RG = 5.6
8
mJ
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
1200
V
Tj = 25°C
750
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=1200V
Tj = 125°C
1250
A
IF(AV)
Maximum Average Forward Current
50% duty cycle
Tc = 80°C
100
A
Tj = 25°C
2.1
VF
Diode Forward Voltage
IF = 100A
Tj = 125°C
1.9
V
Tj = 25°C
60
trr
Reverse Recovery Time
IF = 100A
VR = 600V
di/dt =2500A/s
Tj = 125°C
100
ns
Tj = 25°C
8.4
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 100A
VR = 600V
di/dt =2500A/s
Tj = 125°C
18
C
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PDF描述
APTGF150DU120T 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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