參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF150A120T
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-12
文件頁(yè)數(shù)： 5/5頁(yè)
文件大?。?/td> 276K
代理商： APTGF150A120T
APTGT100DH170
A
P
T
G
T
100
D
H
170
–
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 5
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=125°C
0
25
50
75
100
125
150
175
200
00.5
11.5
22.5
3
VF (V)
I C
(A
)
hard
switching
ZCS
ZVS
0
5
10
15
20
25
30
0
20
40
60
80
100 120 140
IC (A)
F
m
ax
,O
p
er
at
in
g
F
req
u
e
n
cy
(
k
H
z)
VCE=900V
D=50%
RG=4.7
TJ=125°C
TC=75°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
e
rm
a
lI
m
pe
d
a
nc
e
(
°C
/W
)
Diode
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
APT's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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PDF描述
APTGF150DH120 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF150DH120 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF150DU120T 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF150DU120T 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF150H120 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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APTGF150A60T3AG 制造商:MICROSEMI 制造商全稱(chēng):Microsemi Corporation 功能描述:Phase leg NPT IGBT Power Module Power Module
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