參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF150A120T
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-12
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 276K
代理商： APTGF150A120T
APTGF150A120T
A
P
T
G
F
150
A
120T
–
R
ev
0
J
anua
ry,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
4 - 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
250
300
01
23456
VCE (V)
I C
(A
)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=12V
VGE=20V
VGE=9V
0
50
100
150
200
250
300
0
1234
56
VCE (V)
I C
(A
)
TJ = 125°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
250
300
567
89
10
11
12
VGE (V)
I C
(A
)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
0
8
16
24
32
40
48
56
0
50
100
150
200
250
300
IC (A)
E
(
m
J
)
VCE = 600V
VGE = 15V
RG = 5.6
TJ = 125°C
Eon
Eoff
0
10
20
30
40
50
60
70
0
5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J
)
VCE = 600V
VGE =15V
IC = 150A
TJ = 125°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
50
100
150
200
250
300
350
0
300
600
900
1200
1500
VCE (V)
I C
(A
)
VGE=15V
TJ=125°C
RG=5.6
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
0.14
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
e
rm
al
I
m
p
e
da
nc
e(
°C
/W
)
IGBT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF150DH120 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF150DH120 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF150DU120T 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF150DU120T 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF150H120 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
APTGF150A120T3AG 功能描述:POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF150A120T3AMG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APTGF150A120T3WG 功能描述:IGBT NPT PHASE 1200V 210A SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF150A120TG 功能描述:POWER MOD IGBT 1200V 150A SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF150A60T3AG 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Phase leg NPT IGBT Power Module Power Module
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