參數(shù)資料
型號: APTGF150A120T3AG
廠商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 210 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件頁數(shù): 3/3頁
文件大?。?/td> 198K
代理商: APTGF150A120T3AG
APTGF150A120T3AG
APT
G
F150A120T
3AG
Rev
0
July,
2008
www.microsemi.com
3 – 5
Thermal and package characteristics
Symbol
Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
IGBT
0.12
RthJC
Junction to Case Thermal Resistance
Diode
0.37
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
150
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
100
°C
Torque Mounting torque
To heatsink
M4
2.5
4.7
N.m
Wt
Package Weight
110
g
Temperature sensor NTC (see application note APT0406 on www.microsemi.com for more information).
Symbol
Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
R25
Resistance @ 25°C
50
k
Ω
R25/R25
5
%
B25/85
T25 = 298.15 K
3952
K
B/B
TC=100°C
4
%
=
T
B
R
T
1
exp
25
85
/
25
SP3 Package outline (dimensions in mm)
17
12
28
1
See application note 1901 - Mounting Instructions for SP3 Power Modules on www.microsemi.com
T: Thermistor temperature
RT: Thermistor value at T
相關PDF資料
PDF描述
APTGF150A120T3WG 210 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF150A120T 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF150A120T 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF150DH120 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF150DH120 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF150A120T3AMG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APTGF150A120T3WG 功能描述:IGBT NPT PHASE 1200V 210A SP3 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APTGF150A120TG 功能描述:POWER MOD IGBT 1200V 150A SP4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APTGF150A60T3AG 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Phase leg NPT IGBT Power Module Power Module
APTGF150DA120TG 功能描述:IGBT NPT BOOST CHOP 1200V SP4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B