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參數(shù)資料
| 型號： | APTCV40H60CT1G |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | IGBT |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 235K |
| 代理商： | APTCV40H60CT1G |
4
Agere Systems Inc.
10 W, 1.0 GHz—2.7 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
February 2004
AGRB10E
Preliminary Data Sheet
Electrical Characteristics (continued)
Recommended operating conditions apply unless otherwise specified: TC = 30 °C.
Table 7. RF Characteristics (1930 MHz—1990 MHz)
1. Across band, 1930 MHz—1990 MHz.
Table 8. RF Characteristics (2110 MHz—2170 MHz)
1. Across band, 2110 MHz—2170 MHz.
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Functional Tests (in Agere Systems Supplied Test Fixture)1
Power Gain (VDS = 26 V, POUT = 3 W, IDQ = 115 mA)
GPS
—15
—
dB
Drain Efficiency (VDS = 26 V, POUT = P1dB, IDQ = 115 mA)
η
—58
—
%
Third-order Intermodulation Distortion
(100 kHz spacing, VDS = 26 V, POUT = 10 WPEP, IDQ = 115 mA)
IM3
—
–32
—
dBc
Output Power (VDS = 26 V, 1 dB gain compression, IDQ = 115 mA)
P1dB
—
10
—
W
Input Return Loss
IRL
—
–10
—
dB
Ruggedness
(VDS = 26 V, POUT = 10 W, IDQ = 115 mA, VSWR = 10:1, all
angles)
ψ
No degradation in output power.
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Functional Tests (in Agere Systems Supplied Test Fixture)1
Power Gain (VDS = 28 V, POUT = 3 W, IDQ = 115 mA)
GPS
—15
—
dB
Drain Efficiency (VDS = 28 V, POUT = P1dB, IDQ = 115 mA)
η
—57
—
%
Third-order Intermodulation Distortion
(100 kHz spacing, VDS = 28 V, POUT = 10 WPEP, IDQ = 115 mA)
IM3
—
–31
—
dBc
Output Power (VDS = 28 V, 1 dB gain compression, IDQ = 115 mA)
P1dB
10
—
W
Input Return Loss
IRL
—
–10
—
dB
Ruggedness
(VDS = 28 V, POUT = 10 W, IDQ = 115 mA, VSWR = 10:1, all
angles)
ψ
No degradation in output power.
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PDF描述 |
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| APTGF100A120T | 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF100DU120T | 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
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