參數(shù)資料
型號： APT83GU30BG
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 100 A, 300 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 90K
代理商： APT83GU30BG
050-7465
Rev
A
2-2004
APT83GU30B_S
T
J
= 125°C, VGE = 10V or 15V
T
J
= 25°C, VGE = 10V or 15V
VCE = 200V
RG= 20
L = 100 H
V
GE =
15V,TJ=125°C
VGE= 15V
V
GE =
15V,TJ=25°C
T
J
= 25°C, VGE = 10V or 15V
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 9, Turn-On Delay Time vs Collector Current
FIGURE 10, Turn-Off Delay Time vs Collector Current
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 11, Current Rise Time vs Collector Current
FIGURE 12, Current Fall Time vs Collector Current
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 13, Turn-On Energy Loss vs Collector Current
FIGURE 14, Turn Off Energy Loss vs Collector Current
R
G
, GATE RESISTANCE (OHMS)
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 15, Switching Energy Losses vs. Gate Resistance
FIGURE 16, Switching Energy Losses vs Junction Temperature
T
J
= 25 or 125°C,VGE = 15V
SWITCHING
ENERGY
LOSSES
(J)
E
ON2
,TURN
ON
ENERGY
LOSS
(J)
t r,
RISE
TIME
(ns)
t d(ON)
,TURN-ON
DELAY
TIME
(ns)
SWITCHING
ENERGY
LOSSES
(J)
E
OFF
,TURN
OFF
ENERGY
LOSS
(J)
t f,
FALL
TIME
(ns)
t d
(OFF)
,TURN-OFF
DELAY
TIME
(ns)
TJ=125°C, VGE=15V
T
J
= 125°C, VGE = 10V or 15V
TJ = 25°C, VGE=15V
VCE = 200V
TJ = 25°C, TJ =125°C
RG= 20
L = 100 H
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
25
50
75
100
125
80
70
60
50
40
30
20
10
0
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1000
800
600
400
200
0
2000
1500
1000
500
0
R
G
= 20
, L = 100H, V
CE = 200V
400
350
300
250
200
150
100
50
0
250
200
150
100
50
0
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
2000
1500
1000
500
0
VCE = 200V
L = 100 H
RG = 20
VCE = 200V
L = 100 H
RG = 20
VCE = 200V
VGE = +15V
T
J = 125°C
Eon222.5A
Eoff 45A
Eon245A
Eon290A
Eoff 90A
Eoff22.5A
VCE = 200V
VGE = +15V
RG = 20
Eon222.5A
Eoff45A
Eon245A
Eon290A
Eoff90A
Eoff22.5A
R
G
= 20
, L = 100H, V
CE = 200V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT83GU30S 100 A, 300 V, N-CHANNEL IGBT
APT83GU30B 100 A, 300 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT83GU30SG 100 A, 300 V, N-CHANNEL IGBT
APT8GT60KRG 16 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
APT8GT60KR 16 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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APT84F50B2 功能描述:MSOFET N-CH 500V 84A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT84F50L 功能描述:MSOFET N-CH 500V 84A TO-264 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT84M50B2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT84M50B2_09 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET
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