參數(shù)資料
型號： APT83GU30BG
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 100 A, 300 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 90K
代理商： APT83GU30BG
050-7465
Rev
A
2-2004
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
V
CE
, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
V
CE
, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 1, Output Characteristics(V
GE
= 15V)
FIGURE 2, Output Characteristics (V
GE
= 10V)
V
GE
, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
GATE CHARGE (nC)
FIGURE 3, Transfer Characteristics
FIGURE 4, Gate Charge
V
GE
, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
T
J
, Junction Temperature (°C)
FIGURE 5, On State Voltage vs Gate-to- Emitter Voltage
FIGURE 6, On State Voltage vs Junction Temperature
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
T
C
, CASE TEMPERATURE (°C)
FIGURE 7, Breakdown Voltage vs. Junction Temperature
FIGURE 8, DC Collector Current vs Case Temperature
BV
CES
,
COLLECTOR-TO-EMITTER
BREAKDOWN
V
CE
,COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
VOLTAGE
(NORMALIZED)
I C,
DC
COLLECTOR
CURRENT(A)
V
CE
,COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
V
GE
,GATE-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
0
0.5
1
1.5
2
0
0.5
1
1.5
2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
20
40
60
80
100
120 140
160
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14 15 16
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ = 25°C.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
TC=-55°C
TC=125°C
TC=25°C
VCE = 240V
VCE = 150V
VCE = 60V
VGE = 10V.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
VGE = 15V.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
VGE = 15V.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
IC = 45A
TJ = 25°C
TJ = -55°C
TJ = 125°C
TC=-55°C
TC=25°C
TC=125°C
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
IC = 22.5A
IC = 45A
IC = 90A
IC= 90A
IC= 45A
IC= 22.5A
60
50
40
30
20
10
0
300
250
200
150
100
50
0
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
1.2
1.15
1.10
1.05
1.0
0.95
0.9
0.85
0.8
60
50
40
30
20
10
0
16
14
12
10
8
6
4
2
0
2
1.5
1.0
0.5
0
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
APT83GU30B_S
Lead Temperature
Limited
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT83GU30S 100 A, 300 V, N-CHANNEL IGBT
APT83GU30B 100 A, 300 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT83GU30SG 100 A, 300 V, N-CHANNEL IGBT
APT8GT60KRG 16 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
APT8GT60KR 16 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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APT84F50L 功能描述:MSOFET N-CH 500V 84A TO-264 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT84M50B2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT84M50B2_09 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET
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