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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APT8024LVR |
| 英文描述： | POWER MOS V 800V 33A 0.240 Ohm |
| 中文描述： | 功率MOS V 800V的第33A條0.240歐姆 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 101K |
| 代理商： | APT8024LVR |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT802R4KN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4.7A I(D) | TO-220 |
| APT8030JNFR | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 800V V(BR)DSS | 27A I(D) |
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| APT8090BNR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-247AD |
| APT80GP60J | Volts:600V VF/Vce(ON):2.5V ID(cont):80Amps|Ultrafast IGBT Family |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT8024LVRG | 功能描述:MOSFET N-CH 800V 33A TO-264 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS V® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| APT8028JVR | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
| APT802R4AN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-3 |
| APT802R4BN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-247AD |
| APT802R4CN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-254ISO |
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