型號(hào): | APT80GP60J |
英文描述: | Volts:600V VF/Vce(ON):2.5V ID(cont):80Amps|Ultrafast IGBT Family |
中文描述: | 電壓:600V的室顫/的Vce(on):2.5V的身份證(續(xù)):八〇安培|超快IGBT的家庭 |
文件頁(yè)數(shù): | 1/2頁(yè) |
文件大?。?/td> | 101K |
代理商: | APT80GP60J |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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APT902RBN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-247AD |
APT904R2BN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-247AD |
APT901R1BN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 10.5A I(D) | TO-247AD |
APT901R3BN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247AD |
APT901R6BN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-247AD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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APT80GP60JDQ3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 151A 4-Pin SOT-227 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - COMBI - Rail/Tube |
APT80M60J | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:* |
APT80M60J_09 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱(chēng):Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET |
APT80SM120B | 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):55 毫歐 @ 40A,20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):235nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:625W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
APT80SM120J | 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):51A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):55 毫歐 @ 40A,20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):235nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:273W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |