參數(shù)資料
型號(hào)： APT65GP60L2DQ2
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： POWER MOS 7 IGBT
中文描述： IGBT的功率MOS 7
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
文件大?。?/td> 453K
代理商： APT65GP60L2DQ2
0
APT65GP60L2DQ2
I
C
A
D.U.T.
V
CE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
V
CC
*DRIVER SAME TYPE AS D.U.T.
I
C
V
CLAMP
100uH
V
TEST
A
A
B
D.U.T.
DRIVER*
V
CE
Figure 24, EON1 Test Circuit
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Definitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Definitions
APT40DQ60
65GP60B2 @ 125C Eoff
Collector Voltage
Collector Current
T
J
= 125 °C
Gate Voltage
t
f
10%
90%
t
d(off)
90%
0
Switching Energy
Collector Current
Gate Voltage
Collector Voltage
t
r
10%
90%
5%
t
d(on)
T
J
= 125 °C
5 %
Switching Energy
10%
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT65GP60L2DQ2G POWER MOS 7 IGBT
APT75DQ100B ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
APT75DQ100BG ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
APT75DQ100S ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
APT75DQ100SG ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT65GP60L2DQ2G 功能描述:IGBT 600V 198A 833W TO264 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT66F60B2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT66F60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT66M60B2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT66M60B2_09 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET
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