參數(shù)資料
型號(hào)： APT65GP60L2DQ2
廠(chǎng)商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： POWER MOS 7 IGBT
中文描述： IGBT的功率MOS 7
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
文件大?。?/td> 453K
代理商： APT65GP60L2DQ2
0
APT65GP60L2DQ2
V
GE
=15V,T
J
=125°C
V
GE
=15V,T
J
=25°C
V
CE
=
400V
R
=
5
L = 100 μH
E
O
,
t
r
R
t
d
,
FIGURE 15, Switching Energy Losses vs. Gate Resistance
E
O
,
t
f
F
t
d
(
,
FIGURE 16, Switching Energy Losses vs Junction Temperature
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 9, Turn-On Delay Time vs Collector Current
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 10, Turn-Off Delay Time vs Collector Current
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 11, Current Rise Time vs Collector Current
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 12, Current Fall Time vs Collector Current
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 13, Turn-On Energy Loss vs Collector Current
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 14, Turn Off Energy Loss vs Collector Current
R
, GATE RESISTANCE (OHMS)
T
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
V
CE
= 400V
T
J
= 25°C
,
T
J
=125°C
R
= 5
L = 100 μH
5
25
160
140
120
100
80
60
40
20
0
140
120
100
80
60
40
20
0
5000
4000
3000
2000
1000
0
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
V
GE
= 15V
V
CE
= 400V
V
GE
= +15V
R
G
= 5
45
65
85
105
125
145
5
25
45
65
85
105
125
145
5
25
45
65
85
105
125
145
5
25
45
65
85
105
125
145
10
25
45
65
85
105
125 145
5
25
45
65
85
105
145
165
0
10
20
30
40
50
0
25
50
75
100
125
R
G
=
5
, L
=
100
μ
H, V
CE
=
400V
R
G
=
5
, L
=
100
μ
H, V
CE
=
400V
T
J
=
25 or 125°C,V
GE
=
15V
35
30
25
20
15
10
5
0
140
120
100
80
60
40
20
0
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
10000
8000
6000
4000
2000
0
T
J
=
125°C, V
GE
=
15V
T
J
=
25°C, V
GE
=
15V
V
CE
= 400V
V
GE
= +15V
R
G
= 5
T
J
=
125°C,V
GE
=
15V
T
J
=
25°C,V
GE
=
15V
V
CE
= 400V
V
GE
= +15V
R
G
= 5
T
J
=
125°C, V
GE
=
15V
T
J
=
25°C, V
GE
=
15V
E
on2,
130A
E
off,
130A
E
on2,
65A
E
off,
65A
E
on2,
32.5A
E
off
,
32.5A
V
CE
= 400V
V
GE
= +15V
T
J
= 125°C
E
on2,
130A
E
off,
130A
E
on2,
65A
E
off,
65A
E
on2,
32.5A
E
off
,
32.5A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT65GP60L2DQ2G POWER MOS 7 IGBT
APT75DQ100B ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
APT75DQ100BG ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
APT75DQ100S ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
APT75DQ100SG ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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APT66F60B2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT66F60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT66M60B2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT66M60B2_09 制造商:MICROSEMI 制造商全稱(chēng):Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET
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